第862章 比赛正式开始！(2/3)

    很快，他们的屏幕上就显示了一连串某个国家的参赛作品！

    “参赛国家：乌国乌半导体机构。”

    “参赛作品：动态随机存取存储器（dra）。”

    “已经输入该产品的研制信息，正在分析设计过程和设计板块：”

    “存储单元设计：dra的存储单元是其核心组成部分，设计时要考虑其微缩性和稳定性。目前，堆叠式电容存储单元已成为业界主流，特别是在70n技术节点后。

    工艺确定方面：确定dra的制造工艺，包括os场效应晶体管的制备、电容器的形成等。堆叠式电容存储单元通常在os场效应晶体管之后形成，而深沟槽式电容存储单元则在os场效应晶体管之前形成。

    选择高质量的硅基板作为dra的基础材料。

    准备其他所需的材料，如用于电容器电极的t薄膜等。

    硅基板处理：对硅基板进行清洗、抛光等预处理，以确保其表面质量。

    os场效应晶体管制备上，在硅基板上通过一系列工艺步骤制备os场效应晶体管，包括氧化、光刻、掺杂等。

    电容器形成上，根据设计，形成电容器。对于堆叠式电容存储单元，电容器在os场效应晶体管之后形成；对于深沟槽式电容存储单元，电容器在os场效应晶体管之前形成。

    埋藏字线及主动区制备方面，在硅基板中埋藏字线，并在载体表面上形成主动区。埋藏字线与主动区相交，且在主动区中的宽度大于在主动区外的宽度。

    其他结构制备领域，根据需要，制备其他相关结构，如传输管等。

    对制造的dra进行严格的测试，包括性能测试、可靠性测试等，以确保其符合设计要求。

    验证dra的读写速度、存储容量、功耗等关键指标。

    首先要选择硅晶圆，选择高质量的硅晶圆作为制备的起始材料，其直径可能达到200或300。

    另外湿洗上，使用各种试剂对硅晶圆进行清洗，以确保其表面无杂质场效应晶体管区域定义

    在光刻上，使用紫外线透过蒙版照射硅晶圆，形成所需的晶体管区域图案。

    最后就是离子注入上，在硅晶圆的不同